碳化硅如何提升电动汽车续航里程？

在车企的宣传中，我们能听到最多的是，采用SiC后汽车的电耗表现、续航里程、性能等指标都会有大幅提升。目前来看，在电动汽车中用得最多的依然是硅基IBGT，那么相比硅基IBGT，SiC器件是通过哪些途径去提升电动汽车的续航里程？

具体到SiC器件特性而言，相关人士表示：相比于硅基IGBT，SiC MOSFET在器件关断时无明显的拖尾电流，进而可以降低器件的开关损耗；同时电动汽车在匀速行驶状态下，电控所需输出的电流大小远低于额定电流值，而SiC MOSFET在中低电流下的导通损耗显著低于IGBT。

尤其是SiC MOSFET在轻载时的损耗远远小于IGBT。由于电动汽车在城市中行驶时，绝大多数时间工作在轻载工况，SiC MOSFET所减少的损耗可以折算为5%-10%的电池续航里程。

不过，这只是SiC MOSFET器件对电动汽车续航里程的直接影响。另一方面，由于SiC MOSFET可工作于更高的开关频率下减少了损耗，对散热要求较低，可有效减小驱动部件及水冷部件的重量及体积。

同时，800V及以上的高压平台，也开始在一些中高端车型上被应用。在高压平台上，若采用800V直流母线，传输相同功率所需的导线截面积也可以缩小，使得整车铜导线重量显著减少。因此，在采用SiC MOSFET后，综合驱动部件、散热部件以及线束的重量减轻，整车重量降低，也能够间接帮助提升续航里程。

续航里程和补能速度，是目前电动汽车的两大痛点之一，对于SiC的加入，你怎么看呢？欢迎评论区留言~