瑞萨电子收购Transphorm：GaN氮化镓

2024年1月12日，瑞萨电子公司宣布将通过其子公司以每股5.10美元的价格全现金方式收购Transphorm，这一交易将以溢价35%的价格达成，对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨电子提供自主的GaN技术，进一步扩展其电源产品组合，包括涉足电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源和工业电力转换等市场，同时强化其在快速充电器/适配器领域的立足点。一）瑞萨电子的战略意义瑞萨电子通过此次收购将获得Transphorm在GaN方面的专业知识，GaN作为下一代功率半导体的关键材料，具有更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的尺寸，使得系统更为高效、轻巧和成本更低。在碳中和的时代，对高效电力系统的需求愈发增加，而宽带隙（WBG）材料，如碳化硅（SiC）和GaN，正成为行业过渡的关键。通过整合Transphorm的GaN技术，瑞萨电子将在WBG领域取得更为明显的竞争优势。瑞萨从买买买的策略，开始扩展领域和产品线，目前取得的效果是很好的！
随着碳中和的推动，高效电力系统的需求日益增加，GaN的应用前景广阔。行业研究表明，对GaN的需求预计每年将增长50%以上。这使得瑞萨电子能够利用Transphorm的汽车级GaN技术，推动新的增强型电源解决方案的开发，包括电动汽车的X-in-1动力系统解决方案，以及在计算、能源、工业和消费领域的应用。二）战略合并和未来展望通过此次战略合并，瑞萨电子不仅将增强自身在WBG领域的技术实力，还将加速其在新兴市场的布局，包括电动汽车和可再生能源，内部建立SiC生产线以及签署为期10年的SiC晶圆供应协议，进一步巩固了瑞萨电子在宽带隙材料领域的地位。
预计此交易将于2024年下半年完成，具体取决于Transphorm股东的批准、监管许可和其他常规交易条件的满足。